為什么要去除光刻膠？

眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的主要材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個晶圓制造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造重要的工藝。

在光刻環(huán)節(jié)里有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進(jìn)行完全去除。

隨著后摩爾定律時代的到來，半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)向超淺結(jié)、多重圖形化低k介電和3D架構(gòu)，對光刻膠去膠工藝要求也隨之增高，需要更有效地處理復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。在晶體管層面，去膠工藝引起的薄膜微小變化就會影響結(jié)電阻率、結(jié)深和摻雜劑活化，從而影響器件的性能。

那么光刻膠如何去除呢？

半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快，不需引入化學(xué)物質(zhì)，減少了對晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中較好的方式。

*圖源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

晟鼎PLASMA去膠技術(shù)

晟鼎多年來堅持深耕等離子表面清洗活化，圍繞半導(dǎo)體行業(yè)，晟鼎組建專業(yè)團(tuán)隊投入研發(fā)，迄今為止，獲得了多項等離子晶圓去膠、刻蝕等**。同時成立了蘇州半導(dǎo)體設(shè)備有限公司，不斷開拓晶圓領(lǐng)域的全新應(yīng)用。

ICP等離子去膠機(jī)

ICP等離子去膠機(jī)依托晟鼎多年的光刻去膠的經(jīng)驗積累，采用高密度、低損傷等離子源設(shè)計，同時配備晟鼎成熟的遠(yuǎn)程ICP技術(shù)，達(dá)到高水平的去膠速率，并實現(xiàn)去膠損傷抑制；采用**腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)均勻的流場分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

?兼容主流4-8寸圓形晶圓

?單次可處理兩片晶圓，處理過程保持較低溫度

?全自動程度高，實現(xiàn)全自動晶圓上下料、清洗流程

?等離子密度高，去膠效果好

*設(shè)備除膠標(biāo)準(zhǔn)

RIE等離子去膠機(jī)

RIE PLASMA去膠機(jī)是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設(shè)備，也可用于光刻膠去除，碳化硅刻蝕，硬掩膜層干法去除，刻蝕后表面清潔，氧化硅或氮化硅刻蝕，DESCUM，介質(zhì)與介質(zhì)間光阻去除等應(yīng)用領(lǐng)域，材料適用范圍：4-8寸。設(shè)備穩(wěn)定可靠、易于維護(hù)、產(chǎn)能高。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

?高密度等離子體，各種工藝兼容性高

?清洗均勻性高，設(shè)備易于維護(hù)

?緊湊集成式設(shè)計、占地少

提升產(chǎn)品良率的專業(yè)解決方案

除了等離子去膠外，晟鼎作為等離子技術(shù)行家，在晶圓表面檢測與晶圓封測段也有廣泛的應(yīng)用，致力為客戶打造提升產(chǎn)品良率的專業(yè)解決方案。